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『中国南车』突破高端芯片技术

字号:T|T 时间:2014/6/25 10:02:42  来源:国际商报   点击率:2533

我国首条8英寸绝缘栅双极型晶体管(IGBT)专业芯片线6月20日在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成,打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断,对保障国民经济安全和推动节能减排具有重大战略意义。

与微电子技术中芯片技术一样,IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”,控制并提供大功率的电力设备电能变换,有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。

IGBT芯片技术含量极高,制造难度非常大,其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。过去,全球IGBT技术主要掌握在欧洲和日本等少数几个国家手中。我国的IGBT芯片及其相关产品99%以上依赖进口,国内在芯片、封装、装置、系统还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。

经过20多年的研发,中国南车上百位专家攻克了30多项重大难题,终于掌握了该器件的成套技术,建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工业体系,成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块,形成了IGBT的完整产业链。这条投资近15亿元的8英寸IGBT生产线首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片,配套生产100万只IGBT模块,真正实现IGBT的国产化。

中国工程院院士、中国南车株洲所总经理丁荣军说,据初步估算,如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中,每年可节约用电2000亿千瓦时,相当于两个三峡电站的年发电量。同时,我国自主研发的高功率等级的IGBT对涉及国家经济安全、国防安全等战略性产业至关重要。

责任编辑:gy

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